5月25日消息，俄罗据国外媒体报道称，斯光俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试。刻机

　　俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里-什帕克指出，问世该设备可确保生产350nm的俄罗芯片。在俄罗斯看来，斯光尽管350nm的刻机芯片技术相较之下显得落后，但它在汽车、问世能源和电信等诸多行业中仍有着应用价值。俄罗

　　这意味着，斯光俄罗斯在自主发展半导体技术的刻机道路上取得了突破，有望减少对外部技术的问世依赖，提升国内产业的俄罗自主性和竞争力。

　　之前俄罗斯已经表示，斯光计划到2026年实现65nm的刻机芯片节点工艺，2027年实现28nm本土芯片制造，到2030年实现14nm国产芯片制造。

　　要知道，俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构早已表示，旗下应用物理研究所将会跌破所有人眼镜，在2028年开发出可以生产7纳米芯片的光刻机，还可击败ASML同类产品。

　　什帕克说："2026年，我们将获得130纳米的国产光刻机。此前，他告诉塔斯社，第一台俄罗斯国产光刻机已经制造完成，正在进行测试。

　　据他说，下一步将是开发 90 纳米光刻机。他说："我们将继续逐步向 90 纳米及以下迈进。因此，我们不会止步于此（约 130 纳米）。什帕克说："我们已经在实施一项全面的电子工程项目。

　　去年 10 月有报道称，第一台俄罗斯国产130 纳米光刻机原型可能在 2026 年之前问世。

　　世界上首次生产 130 纳米芯片是在 2001 年。350-65 纳米制程的芯片用于微控制器、电力电子、电信电路、汽车电子和其他领域。